豊田合成、「GaN基板の大口径化」に成功

　豊田合成は、大阪大学と共同で、窒化ガリウム（GaN）を用いた次世代パワー半導体（GaNパワー半導体）向けの基板の大口径化（直径の拡大）に成功した。

　パワー半導体は、産業機器や自動車、家電などの電力制御に幅広く使われている。現在、社会全体でのカーボンニュートラル実現に向け、再生可能エネルギーや電動車の大きな電力を制御する際の電力ロスを低減できる次世代パワー半導体の実用化・普及拡大が期待されている。

　そのひとつであるGaNパワー半導体の開発では、課題となっている生産性向上（コスト低減）の実現に向け、GaN基板の高品質化・大口径化が求められている。

　同社と大阪大学はこのたび、環境省が主導するプロジェクトにおいて、ナトリウムとガリウムを混合した液体金属の中でGaNの結晶を成長させる手法（ナトリウムフラックス法）を活用し、世界最大級となる6インチを超える高品質なGaN基板（GaN種結晶）の作製に成功した。

　今後同社では、6インチの基板量産化に向けた品質の評価などを行い、さらなる品質改善と大口径化（6インチ以上）を進めていく。